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元器件采购网 > F-371页 > FET - 单FQD4N20TF

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FQD4N20TF

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 Fairchild Semiconductor 168 闁活澀绲婚惁浠嬫晬閿燂拷0755-83217923
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FQD4N20TF参数
产品类别:分立半导体产品-FET - 单
说明:MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
包装数量:2000
包装形式:带卷 (TR)
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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):220pf @ 25V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装

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