型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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FQD4N20TF |
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | Fairchild Semiconductor | 168 | 闁活澀绲婚惁浠嬫晬閿燂拷0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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FQD4N20TF参数 产品类别:分立半导体产品-FET - 单 说明:MOSFET N-CH 200V 3A DPAK 包装数量:2000 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载: ![]() PDF资料下载: ![]() FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压 (Vdss):200V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):220pf @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: 矩形- 接头,公引TSW-108-05-S-S Card EdgeRMC26DRYI-S13 陶瓷电容器B37987M1183K000 PMIC - 稳压MC33269T-3.3G 压力P51-15-A-N-P-5V 圆形MS3100R14S-5S PMIC - 稳压MAX8510EXK28 T 陶瓷电容器1210GA151KAT1A D-SubC7SSG-1510G-ND 陶瓷电容器CBR08C820F1GAC |